일본 국립연구개발법인 신에너지･산업기술 종합개발기구(NEDO)는 기가포톤(주)이 현재 개발 중인 극단 자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 스캐너 레이저 발생 플라즈마(LPP) 광원의 프로토타입 장비를 시험한 결과 발광효율 4.0%에서 최첨단 반도체 양산이 적용 가능한 레벨인 250W 발광출력, 130W 이상의 출력 119시간 연속 운전에 성공했다고 밝혔다.

IT기기의 고성능화, 저전력화 및 저가화는 반도체보다 작게 하는 소형화 기술에 의해 실현된다. 즉 IoT 사회 실현을 위해서는 소형화 기술의 개발이 요구된다.

EUV 스캐너는 극단적인 자외선을 이용한 반도체용 차세대 노광기로 이번에 개발된 기술은 에너지 안전성 평균 0.5% 미만, 논리 생산 적용 가능 수준인 108W의 발광 출력을 24시간 연속 운전에 성공했다.

또한 고출력 연속 운전을 목표로 발광효율 4.0%에서 최첨단 반도체 양산 적용이 가능한 레벨인 250W 발광 출력을, 130W 이상 출력 119시간 연속 운전에도 성공하였다.

이러한 성과로 인해 양산 대응형 EUV 스캐너의 실현을 향해 크게 진보하게 되었다. 기가포톤(주)는 반도체 양산 공장에서 사용하기 위해 설계된 EUV 광원의 고출력 유효성 검사 기계 가동도 함께 시작하면서 높은 가동률 및 안전성의 EUV 광원의 개발을 진행할 계획이라고 밝혔다.

[출처 = 녹색기술정보시스템(www.greenplatform.re.kr) / 2016. 07. 20]